ال سامسونج أعلن خلال قمة ذاكرة فلاش هذا العام تقدمه في تطوير التكنولوجيا V-NAND للتخزين ، وكذلك الموديلات الجديدة من محركات أقراص الحالة الصلبة مواجهة الخوادم ومراكز البيانات. تقول الشركة إن تقنية V-NAND المملوكة لها “متقدمة للغاية” وستحدد مستقبل التخزين للشركات ، بدءًا من إعلان هذا الأسبوع عن شريحة 1 تيرابايت بهذا الشكل.
تتوقع الشركة الكورية الجنوبية أول شريحة لها 1 تيرابايت V-NAND تكون متاحة تجارياً العام المقبل. وفقًا لشركة Samsung ، ستسمح هذه التقنية “بتكديس” ما يصل إلى 2 تيرابايت من السعة في حزمة V-NAND واحدة ، باستخدام 16 قالبًا سعة 1 تيرابايت ، مما يمثل تقدمًا رائعًا في سعة محرك أقراص التخزين المحمول.
على الرغم من عدم وصول التكنولوجيا الجديدة ، إلا أن الشركة أعلنت عن سطرين جديدين من محركات أقراص الحالة الصلبة للخوادم. الأول يعتمد على NGSFF (عامل الشكل الصغير من الجيل التالي) بدلاً من M.2. تدعي الشركة أن عامل الشكل المتباين يسمح باستخدام أفضل للمساحة ، حيث يوفر ما يصل إلى 576 تيرابايت في رف واحد 1U ، باستخدام 36 محرك أقراص SSD NGSFF بسعة 16 تيرابايت لكل منهما. تبلغ أبعادها 30.5 × 110 × 4.38 ملم.
في الشكل التقليدي ، أعلنت شركة Samsung عن هاتفها الجديد Z-SSDs، والتي ظهرت لأول مرة في شكل النموذج SZ985. ينصب التركيز هنا على الأداء ، مع زمن انتقال “منخفض للغاية” وسرعة عالية. تعد الشركة بأداء أفضل من معيار NVMe ، حيث تحقق 15 ميكروثانية فقط من زمن انتقال القراءة ويمكن أن تزيد من وقت استجابة النظام حتى 12 مرة على مستوى التطبيق.
…..
هل تفكر في شراء منتج عبر الإنترنت؟ تعرف على ملحق Save the World Connected لـ Google Chrome. إنه مجاني ويقدم لك مقارنات الأسعار في المتاجر الرئيسية وكوبونات حتى تتمكن دائمًا من الشراء بأفضل سعر. التحميل الان.
