ال سامسونج للإلكترونيات عن الإنتاج الضخم لأول أجهزة ذاكرة بسعة 512 جيجابايت مع وحدة تخزين فلاش عالمية (eUFS) 3.0 للأجهزة المحمولة من الجيل التالي. بمعدل 2100 ميغا بايت في الثانية (MB / s) ، يضاعف eUFS الجديد معدل القراءة المتسلسل لأحدث ذاكرة eUFS من سامسونج (eUFS 2.1) ، أعلن في يناير.
الهدف هو دعم العقود الآجلة smartphones مع شاشات عالية الدقة كبيرة جدًا. سرعة القراءة أربع مرات أسرع من SSD و حتى 20 مرة أسرع من بطاقة microSD نموذجية. بالإضافة إلى ذلك ، تم أيضًا تحسين سرعة الكتابة التسلسلية بنسبة 50٪ ، لتصل إلى 410 ميجابايت / ثانية ، وهو ما يعادل a SSD SATA.
“بينما نقوم بتوسيع عروض eUFS 3.0 الخاصة بنا لتشمل إصدار 1 تيرابايت (TB) في وقت لاحق من هذا العام ، نتطلع إلى لعب دور مهم في تسريع سوق الهاتف المحمول المتميز.”قال تشول تشوي ، نائب الرئيس التنفيذي لمبيعات وتسويق الذاكرة في Samsung Electronics.
كما زادت سرعة عمليات الإدخال والإخراج في الثانية (IOPS) – 63000 قراءة IOPS و 68000 كتابة IOPS. للمقارنة ، هذا عن 630 مرة أسرع من بطاقات microSD ، 100 IOPS. هذا يعني أنه يمكن تنفيذ المزيد من الإجراءات في نفس الوقت دون وقت استجابة طويل جدًا.
أنتجت Samsung أول واجهة UFS في الصناعة مع eUFS 2.0 في يناير 2015 ، والتي كانت أسرع 1.4 مرة من معيار ذاكرة الهاتف المحمول في ذلك الوقت ، والمعروف باسم بطاقة وسائط متعددة مدمجة (eMMC) 5.1.
سيتم إطلاق الإصدارين 512 جيجا بايت eUFS 3.0 و 128 جيجا بايت في وقت لاحق من هذا الشهر ، بينما تقول سامسونج أنه من المقرر طرح طرازي 1 تيرابايت و 256 جيجابايت في النصف الثاني من هذا العام.
…..
هل تفكر في شراء منتج عبر الإنترنت؟ تعرف على ملحق Save the World Connected لـ Google Chrome. إنه مجاني ويقدم لك مقارنات الأسعار في المتاجر الرئيسية وكوبونات حتى تتمكن دائمًا من الشراء بأفضل سعر. التحميل الان.
عبر: Adrenaline ، GSMArena المصدر: TechPowerUp ، Samsung
