أعلنت شركة Samsung يوم الثلاثاء أنها بدأت الإنتاج الضخم لأول حزمة 16 جيجا بايت LPDDR5 (معدل بيانات مزدوج منخفض الطاقة 5) للجيل القادم من أقساطها smartphonesبعد الإنتاج الضخم لمتغير 12 جيجابايت من نفس الحزمة في يوليو 2019. ستمكن وحدة ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة ، وفقًا للشركة ، ميزات 5G و AI المحسنة وستعزز الألعاب ، إلى جانب التصوير الذكي.
قال نائب الرئيس الأول لمبيعات وتسويق الذاكرة ، Cheol Choi ، أنه مع إدخال مجموعة المنتجات الجديدة القائمة على تقنية الجيل التالي ، ستتمكن الشركة من تلبية متطلبات الذاكرة المستقبلية بشكل كامل من العملاء العالميين.
ستتيح وحدة ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة من سامسونج معدل نقل بيانات يبلغ 5500 ميجابت في الثانية ، أسرع بنحو 1.3 مرة من الجيل السابق. وقالت الشركة ، في إصدارها ، إن ذاكرة الوصول العشوائي المحمولة الجديدة توفر أكثر من 20 في المائة من الطاقة في حين توفر ما يصل إلى ضعف سعة حزمة 8 جيجابايت LPDDR4X.
تتكون وحدة ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة من ثماني رقائق 12 جيجا بايت وأربع شرائح 8 جيجا بايت ، ويتم تصنيعها في مصنع بيونجتايك في كوريا الجنوبية.
"تلتزم Samsung بجعل تقنيات الذاكرة في طليعة السماح للعملاء بالاستمتاع بتجارب مذهلة من خلال أجهزتهم المحمولة. وقال تشوي في بيان صادر عن شركة سامسونج: "نحن متحمسون للبقاء وفاءًا بهذا الالتزام من خلال حلنا الجديد المتطور للأجهزة المحمولة لشركات تصنيع الأجهزة العالمية".
ستعتمد وحدة الذاكرة العشوائية LPDDR5 DRAM بسعة 16 جيجا بايت على الجيل الثاني من تقنية معالجة 10nm من سامسونج.
