في العام الماضي في Flash Memory Summit ، أعلنت Toshiba عن XL-FLASH ، وهي ذاكرة فلاش SLC ثلاثية الأبعاد مخصصة SLC ثلاثية الأبعاد تمثل إجابتها على Z-NAND من Samsung (وبدرجة أقل ، 3D XPoint من Intel). تم تقديم القليل من التفاصيل في ذلك الوقت ، لكن توشيبا مستعدة هذا العام لتقديم المزيد من المعلومات ، بما في ذلك جدول زمني لطرحها في السوق: يبدأ أخذ العينات في الشهر المقبل ، ويبدأ الإنتاج الضخم في العام المقبل.
ستستخدم أول أجزاء XL-FLASH قالب 128 جيجا ، مقسم إلى 16 طائرة لدعم درجة أعلى بكثير من التوازي من أجزاء 3D NAND الحالية الموجهة نحو القدرات. سيكون حجم الصفحة 4 كيلوبايت ، وهو أصغر بكثير مما تستخدمه معظم تطبيقات NAND ثلاثية الأبعاد ، لكن هذه ليست مفاجأة نظرًا لأن XL-FLASH يخزن بت واحد فقط لكل خلية بدلاً من ثلاثة أو أربعة. لا يكشف بيان Toshiba الصحفي عن حجم كتلة المحو ، لكننا نتوقع أن يكون حجمه أقل مما هو مستخدَم في تصميمات NAND عالية السعة. بالنسبة للأداء ، تقول توشيبا إن زمن قراءة القراءة سيكون أقل من 5 ميكروثانية ، مقارنة بحوالي 50 ميكرون لـ TLC ثلاثية الأبعاد.
قد يكون الفرق الأكثر أهمية بين توشيبا XL-FLASH و Z-NAND من سامسونج هو نموذج الأعمال. تبقي Samsung على Z-NAND لأنفسها للاستخدام في منتجات Z-SSD الخاصة بها ، ولكن XL-FLASH من Toshiba ستكون معروضة للبيع تمامًا مثل 3D TLC و QLC NAND. لقد سمعنا بالفعل من عدد قليل من بائعي وحدة تحكم SSD أنهم يخططون لدعم XL-FLASH في وحدات التحكم الخاصة بهم القادمة ، لذلك عندما تبدأ XL-FLASH في الوصول إلى السوق ، فمن المحتمل أن تصل إلى SSDs من العديد من العلامات التجارية المنافسة.
تنطلق Flash Memory Summit غدًا في سانتا كلارا ، وستقدم Toshiba أول عرض تقديمي رئيسي.
