قدمت شركة Samsung يوم الثلاثاء ذاكرة V-NAND من الجيل السادس ، والتي تضم أكثر من 100 طبقة نشطة في محاولة لتحسين السعة والكثافة. لجعل V-NAND مع أكثر من 100 طبقة قابلة للحياة من وجهة نظر الأداء ، كان على الشركة استخدام تكنولوجيا تصميم الدوائر الجديدة. تتميز الذاكرة الجديدة بميزات أقل بنسبة 10٪ وتستهلك طاقة أقل بنسبة 15٪ مقارنة بالجيل السابق من V-NAND من سامسونج.
يتميز هاتف V-NAND من الجيل السادس من سامسونج بما يصل إلى 136 طبقة بالإضافة إلى خلايا شحن الفخ (CTF). تستخدم الذاكرة الجديدة مجموعة واحدة ولا تستخدم تقنيات مثل تكديس السلسلة لبناء أكثر من 100 طبقة. من أجل ضمان الحد الأدنى من الأخطاء والكمون المنخفضة ، كان على سامسونج أن تستخدم تصميمًا جديدًا للدوائر المحسنة للسرعة. يتيح هذا الأخير لشرائح 3D TLC 256 جيجا بايت الجديدة توفير زمن وصول أقل من 450 ثانية (ميكرون) لعمليات الكتابة وأقل من 45 ميكرون لعمليات القراءة ، وهو أسرع بنسبة 10٪ مقارنةً بالجيل الخامس من V-NAND ، وفقًا لشركة Samsung. وفي الوقت نفسه ، يتميز أحدث V-NAND أيضا انخفاض استهلاك الطاقة من سابقاتها.
من الجدير بالذكر أن أجهزة V-NAND 256 جيجا بايت الجديدة 136 طبقة تستخدم 670 مليون ثقب ، بانخفاض عن 930 مليون ثقب مع الجيل السابق ، مما يعني أن الرقائق الجديدة تحتاج إلى خطوات عملية أقل وأسهل في التصنيع. الأهم من ذلك هو أن شركة Samsung تخطط لاستخدام هيكلها المكون من 136 طبقة مع تصميم دائرة محسّن السرعة لإنشاء أجهزة V-NAND مع أكثر من 300 طبقة من خلال تركيب ثلاثة من المداخن الحالية فوق بعضها البعض (وبالتالي مضاعفة سعة الرقاقة ثلاث مرات).
في البداية ، ستقدم Samsung أجهزة V-NAND سعة 256 جيجا بايت ثلاثية الأبعاد TLC 136 طبقة ، والتي ستستخدم أولاً في محركات أقراص الحالة الصلبة سعة 250 جيجابايت من سامسونج. في وقت لاحق من هذا العام ، تنوي شركة Samsung إصدار أجهزة V-NAND بسعة 512 جيجا بايت ، والتي سيتم استخدامها لمحركات أقراص أخرى بالإضافة إلى حلول التخزين eUFS.
عند الحديث عن محرك الأقراص SSD V-NAND SSD سعة 256 جيجابايت ، من المهم الإشارة إلى أنه يستخدم وحدة التحكم الجديدة من سامسونج والتي تحمل علامة S4LR030 / S94G4MW2.
ذات صلة القراءة:
المصدر: سامسونج
