كشفت شركة Samsung Electronics عن تقنية الجيل التالي القادمة ، والتي تعمل على تمكين ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) بسعة 512 جيجابايت من ذاكرة DDR5 بسرعة 7200 ميجاهرتز على جهاز عصا RAM واحدة.
في 25 مارس 2021 ، كشفت سامسونج النقاب عن تفاصيل حول وحدة ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) الجديدة بسعة 512 جيجابايت والتي توفر إمكانات ذاكرة DDR5 ، لكن الشركة لم تكشف عن أي معلومات أخرى.
أصدرت شركة التكنولوجيا الكورية العملاقة Samsung مقطع فيديو تشويقيًا حولها YouTube القناة التي تسلط الضوء على أحدث ميزات ذاكرة وصول عشوائي بسعة 512 جيجا بايت من سامسونج مع DDR5-7200 تكنولوجيا الوحدة.
ستقدم سامسونج قريباً 512GB DDR5 RAM Stick
نظرًا لأن التكنولوجيا تنمو بسرعة كبيرة ، بدءًا من 5G والذكاء الاصطناعي وحتى الواقع المعزز والواقع المعزز ، تعمل Samsung Electronics أيضًا على دفع حدودها لتمكين التكنولوجيا المستقبلية وقد طورت مؤخرًا حلول ذاكرة DDR5 للمستخدمين الذين يمكنهم الأداء بأقصى طاقتهم.
وفقًا للإعلان التشويقي ، يمكن لسرعة نقل وحدة ذاكرة الوصول العشوائي (DDR5 RAM) الجديدة بسعة 512 جيجابايت من سامسونج أن تعمل بما يصل إلى 6400 ميجابت في الثانية ، أي مرتين أسرع من الجيل السابق.
ستتيح الشركة هذه الوحدة لما يصل إلى سعة 512 جيجا بايت وللمستخدمين العاديين ، سيكون متاحًا أيضًا بسعة 64 جيجابايت. في المستقبل ، سوف تشق طريقها إلى أجهزة الكمبيوتر المحمولة أيضًا.
كما أظهر الإعلان التشويقي ، فإن تقنية DDR5 من سامسونج هي 30٪ أكثر كفاءة في استهلاك الطاقة عن الجيل السابق من DDR4 ، مما يعني أنه سيعمل ضعف الأداء السابق ، لكن استهلاك الطاقة سيكون هو نفسه.
تعمل الشركة على هذه التقنية لمدة عامين وقد قاموا أخيرًا ببناء وحدة ذاكرة وصول عشوائي بسعة 512 جيجابايت مع 8 ذاكرة DRAM مكدسة، وهو أمر رائع من حيث السرعة والسعة والملاءمة البيئية.
حاليًا ، لا توجد معلومات حول موعد بدء الإنتاج الضخم ومتى سيكون متاحًا في السوق. وفقا لتقرير ، قد تطلق Samsung هذا في عام 2023 أو 2024 لأن الشركة أكملت العمل عليها. لهذا السبب كشفوا عن دعابة.
